設備用途：

單室離子束鍍膜設備係統為高真空多功能離子束沉積係統， 係統可用於開發納米級的單層及多層功能膜和複合膜-可鍍金屬、 合金、 化合物、 半導體、 介質複合膜等。 廣泛應用於大專院校、 科研院所進行薄膜材料的科研與小批量製備。

設備組成：

係統主要由沉積室、 考夫曼濺射離子源、 考夫曼清洗輔助離子源、 樣品台、 樣品加熱裝置、膜厚監測係統、 泵抽係統、 真空測量係統、 氣路係統、 電控係統等組成。

技術指標：

1、極限真空度：≤8.0×10-5Pa (經烘烤除氣後)；

2、係統真空檢漏漏率：≤5.0×10-8Pa.L/S；停機12小時≤5Pa.

3、係統短時間暴露大氣並充幹燥氮氣後，再開始抽氣，45分鍾可達到6.6×10-4Pa；

4、係統主要由蒸發真空室、E型電子槍、熱蒸發電極、旋轉基片加熱台、工作氣路、抽氣係統、真空測量、安裝機台及電控係統等部分組成。